Модуль беспроводной связи высокой мощности LoRa1121F33-2G4:2 Вт

Диапазон напряжения

3.0

5

5.5

В

Рабочая  температура

- 4 0

25

85

℃

Максимальный входной сигнал

10

дБм

Текущее потребление

Ток передачи

433 МГц, 5 В, 2 Вт

< 900

мА

@2.4GHz,5v,1w, TxPower = 5

< 1200

мА

Получение тока

@ S sub-G

< 8

мА

@2.4G

< 24

29

мА

Ток сна

< 20

uA

Параметры РЧ

Диапазон частот

@433MHz

400

470

МГц

@470MHz

470

510

МГц

@868MHz

850

890

МГц

@915MHz

900

940

МГц

Мощность передачи

@sub-GHz

18

33

дБм

@2.4G Bands 

22

30

дБм

Чувствительность приема

BW=62,5 кГц, SF=12

@ S суб-ГГц

-142

дБм

BW=406 кГц, SF=7

@2.4G Bands 

-129

дБм

Ошибка частоты

0,5

частей на миллион

Частота модуляции (@sub-GHz) 

@LoRa

0,091

62,5

Кбит/с

@ФСК

0,6

300

Кбит/с

Скорость модуляции (в диапазонах 2,4 ГГц )  

@LoRa

0,476

101.5

Кбит/с

1

ВКЦ

Подключитесь к положительному источнику питания.

2,3,4,6,7,8,11

Земля

Подключите к отрицательному полюсу источника питания.

5

CE

я

0-5,5 В

Внутренний управляющий вывод LDO-стабилизатора , подтяните его к высокому уровню или оставьте плавающим для работы, подключите к земле для перехода в спящий режим. Внутренний подтянут к высокому уровню.

9

ANT_ 2 G 4

2. Интерфейс антенны 4 ГГц , внешняя антенна 50 Ом

10

МУРАВЕЙ

Интерфейс антенны Sub-G, внешняя антенна 50 Ом

12

ССК

я

0-3,3 В

Вход тактовой частоты SPI

13

НСС

я

0-3,3 В

Вход выбора микросхемы SPI

14

ЗАНЯТЫЙ

О

0-3,3 В

Используется для индикации состояния, подробности см. в техническом описании микросхемы.

15

МОСИ

я

0-3,3 В

Ввод данных SPI

16

МИСО

О

0-3,3 В

Вывод данных SPI

17

ПЕРЕЗАГРУЗИТЬ

я

0-3,3 В

Вход триггера сброса, подробности см. в техническом описании микросхемы.

18

IRQ

О

0-3,3 В

Многоцелевой цифровой интерфейс, подробности см. в техническом описании микросхемы.